高速接口IP设计我们的纯国产技术也很给力
栏目:快换接头 发布时间:2021-07-10 21:17
的本能一连沿着摩尔定律规定的轨迹行进,芯片策画繁复度延长的速率远比工艺和本能普及的速率疾,所以,以IP核重用为符号的SoC策画门径正在近些年赢得了繁荣兴盛,用于手机、数...

  的本能一连沿着摩尔定律规定的轨迹行进,芯片策画繁复度延长的速率远比工艺和本能普及的速率疾,所以,以IP核重用为符号的SoC策画门径正在近些年赢得了繁荣兴盛,用于手机、数字电视、消费电子等巨额量商场的集成电道基础上都是SoC芯片的寰宇。

  接口是SoC的基础效用之一,是完毕SoC中嵌入式CPU访谒外设或与外部设置举行通讯、传输数据的必备效用。

  据统计,接口策画IP商场呈爆炸式延长,2019年延长18%,到达8.7亿美元。遵照IPnest正在“2015-2019年接口IP考查和2020-2024年预测”中的筹算,接口IP商场估计将正在异日五年内连结较高的延长率,到2025年将到达18亿美元。

  正在2010-2020的10年中,智在行机是IP行业饱舞CPU/GPU种别和LPDDR、USB等接口制定的庞大驱动力。目前智在行机行业还是活动,但已到达颠峰。IP出售的新延长动力转向以数据为核心的运用,囊括效劳器、数据核心、有线和无线搜集以及新兴的人工智能。

  完全这些运用都需求越来越高的带宽来举行体例内数据的互换,以援手数据核心和搜集之间更疾更遍及的互连。这意味着高速内存支配器(DDR5、HBM或GDDR6)、接口制定的更疾宣布(PCIe 5,400G和800G以太网,112G SerDes)以及援手小芯片互连制定的展现(HBI或SerDes)。

  以数据为核心的运用 (效劳器、数据核心、搜集、AI……)正正在肆意饱舞接口IP商场,更详细地说,是内存支配器、PCIe、以太网和SerDes。

  目前,正在对邦内SoC策画项方针考查中发明,极少高速接口IP核还依赖于海外企业:Synopsys,Cadence, Alphawave,然而这些都是美邦公司。

  遵照IPNest 2018叙述显示,Synopsys USB 3.0商场占领率77%,USB 2.0商场占领率81%,DDR商场占领率53%,PCIe商场占领率53%,MIPI商场占领率74%。这些IP核的邦内供应商较少,邦内企业的拔取面较窄,IP核的代价也至极腾贵。

  据分析,邦内的芯动科技Innosilicon便是一家尽头优良的芯片IP和芯片定制一站式领军企业,14年来本土兴盛,完全IP和产物自决可控。据悉,他们潜心研发,早已开采出取代海外IP核的产物,添补了众项邦内空缺,充沛保障IP核的质地和安定性,为客户供应环球六大晶圆厂一站式ASIC定制处理计划,囊括TURNKEY、从FPGA到ASIC、从观念到量产、MPW和量产、高端封装策画和量产效劳等。

  身处半导体工业链的上逛症结的IP,无论是守旧通用的USB、HDMI等高速接口IP,照样缺口较大的PCle3.0/4.0、DDR4/5、GDDR6/5等高本能筹算规模,险些均被芯动的纯邦产IP所庖代。分外是芯动环球首发并量产的GDDR6高带宽数据存储身手和低功耗主流筹算身手,为邦产高端GPU、CPU创建了4倍以上的数据带宽身手,对人工智能和管束意思庞大。

  同时,新程序和新版本的不竭展现,饱舞着接口IP核的充分和兴盛。纯邦产自决可控的高速接口IP的上风将正在赓续延长的商场需求中日益露出出来。

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  FAN5236 宽输入电压界限双通道输出/ DDR PWM / PFM支配器

  6 PWM支配器为两个可调输出电压供应高效果和调度效用,界限为0.9V至5.5V,用于为高本能条记本电脑,PDA和Internet设置中的I / O,芯片组,存储器库供电。同步整流和轻载时的滞后运转为大宗区别负载供应了高效果。假设完全负载秤谌都需求PWM形式,滞后形式可正在每个PWM转换器上稀少禁用。通过应用MOSFET RDS(ON 前馈斜坡调制,均匀电流形式支配机制以及内部反应积累等效用完毕了负载瞬态迅速反映。具有180度相位偏搬动异相操作裁减了输入电流纹波。支配器可通过激活专用引脚,改制成完全的DDR存储器电源处理计划。正在DDR形式中,一个通道跟踪另一通道的输出电压并供应输出灌电流和源效用,这关于DDR芯片精确加电至闭紧张。还供应了此类存储器所需的缓冲参考电压.FAN5236监控这些输出,正在软启动告竣且输出正在其设定点的±10%内时天生独立的PGx(电源平常)信号。内置过压守卫可预防输出电压跨越其设定点的120%。过压前提甩手后,会自愿还原平常操作。当此输出正在其软启动序列告竣后降至其设定值的75%以下时,欠压守卫会闩锁芯片。可调过流效用通过感测较低MOSFET两头的压降来监控输出电流。需求精准电流感测时,可使...

  6 PWM支配器为两个输出电压供应高效果的调度,可调界限从0.9v至5.5V,这是高本能筹算机,机顶盒以及VGA卡中的电源I / O,芯片组,存储器库所一定的。同步整流有利于正在较宽的负载界限内获取高效果。假设应用MOSFETR DS(ON)行为电流感测组件,效果还可进一步普及。斜坡调制,均匀电流形式支配机制以及内部反应积累等效用完毕了负载瞬态迅速反映。具有180°相位偏移的异相操作裁减了输入电流纹波。支配器可通过激活专用引脚,改制成所有的DDR存储器电源处理计划。正在DDR形式中,一个通道跟踪另一通道的输出电压并供应输出灌电流和源效用,这关于DDR芯片精确加电至闭紧张。还供应了此类存储器所需的缓冲参考电压.FAN5026监控这些输出,并正在软启动告竣并输出正在其设定点的±10%内时天生独立的PGx(电源平常)信号。压守卫可预防输出电压跨越其设定点的120%。过压前提甩手后,会自愿还原平常操作。当输出正在其软启动序列告竣后降至其设定值的75%以下时,欠压守卫会闩锁芯片。可调过流效用通过感测较低MOSFET两头的压降来监控输出电流。需求精准电流感测时,可应用外部电流感测电阻。 特点 高轻巧性,双同步开闭PWM控...

  NCP51403 3安培VTT终端稳压器DDR1 DDR2 DDR3 LPDDR3 DDR4

  03是一款源/招揽双倍数据速度(DDR)终端稳压器,专为低输入电压和低噪声体例而策画,此中空间是闭头思虑身分。 NCP51403连结迅速瞬态反映,仅需求20 uF的最小输出电容。 NCP51403援手长途感到效用和DDR VTT总线终端的完全电源请求。 NCP51403还可用于需求动态可调输出电压的低功耗芯片组和图形管束器内核。 特点 输入电压轨:援手2.5 V,3.3 V和5 V导轨 PVCC电压界限:1.1至3.5 V 集告捷率MOSFET 迅速负载瞬态反映 PGOOD - 监控VTT法则的逻辑输出引脚 VRI - 参考输入承诺直接或通过电阻分压器举行轻巧的输入跟踪 EN - 闭塞形式的逻辑输入引脚 内置 - 欠压锁定和过流限定 运用 终端产物 DDR内存终端 效劳器和搜集设置 图形管束器重点耗材 芯片组/ RAM耗材低至0.5 V 机顶盒,液晶电视/等离子电视,复印机/打印机 台式电脑,条记本电脑和处事站 电道图、引脚图和封装图...

  10是一款源/汇双倍数据速度(DDR)终端稳压器,专为低输入电压和低噪声体例而策画,此中空间是闭头思虑身分。 NCP51510连结迅速瞬态反映,而且只需求10uF的最小VTT负载电容即可完毕输出安定性。 NCP51510援手长途感到和DDR VTT总线终端的完全电源请求。 NCP51510还可用于需求动态可调输出电压的低功耗芯片组和图形管束器内核。 NCP51510采用热效果高的DFN10裸露焊盘封装,额定绿色和无铅。 特点 援手最高3 A的负载(规范值) ),输出是过流守卫 DDRI,DDRII,DDRIII源/接管电流 具有热闭断守卫效用的集成MOSFET PGOOD输出引脚看守VTT输出调度状况 SS输入引脚用于暂停闭塞形式 轻巧电压跟踪的VRI输入参考 用于遥感的VTTS输入(开尔文相接) 内置软启动,欠压锁定 运用 DDR内存终端 台式电脑,条记本电脑和处事站 效劳器和搜集设置 电信/数据通讯,GSM基站 图形管束器重点耗材 机顶盒,LCDTV / PDPTV,复印机/打印机 为芯片组/ RAM供应低至0.5 V的电源 有源/汇总总线终端 电道图、引脚图和封装图...

  NCP51400 3安培VTT终端稳压器DDR1 DDR2 DDR3 LPDDR3 DDR4

  00是一款源/汇双倍数据速度(DDR)终端稳压器,专为低输入电压和低噪声体例而策画,此中空间是闭头思虑身分.NCP51400连结迅速瞬态反映,仅需求最小的输出电容20 F. NCP51400援手长途感到效用和DDR VTT总线终端的完全电源请求。 NCP51400还可用于需求动态可调输出电压的低功耗芯片组和图形管束器内核。 特点 输入电压轨:援手2.5 V,3.3 V和5 V导轨 PVCC电压界限:1.1 V至3.5 V 迅速负荷瞬态反映 PGOOD - 看守VTT法则的逻辑输出引脚 EN - 闭塞形式的逻辑输入引脚 VRI - 参考输入承诺轻巧的输入跟踪直接或通过电阻分频器 内置软启动,欠压锁定和过流限定 运用 终端产物 DDR内存终端 效劳器和搜集设置 图形管束器重点耗材 芯片组/ RAM耗材低至0.5 V 台式电脑,条记本电脑和处事站 电信/数据通讯,GSM基站 机顶盒,液晶电视/等离子电视,复印机/打印机 电道图、引脚图和封装图...

  NCP51200 用于DDR1 DDR2 DDR3 LPDDR3 DDR4的3A源/汇VTT终端稳压器

  00是一款源/招揽双倍数据速度(DDR)终端稳压器,专为低输入电压和低噪声体例而策画,此中空间是闭头思虑身分。 NCP51200连结迅速瞬态反映,仅需求20 uF的最小输出电容。 NCP51200援手长途感到效用和DDR VTT总线终端的完全电源请求。 NCP51200还可用于需求动态可调输出电压的低功耗芯片组和图形管束器内核。 NCP51200采用热效果高的DFN10裸露焊盘封装,额定绿色和无铅。 特点 输入电压轨:援手2.5和3.3 V Rails PVCC电压界限:1.1至3.5 V 集告捷率MOSFET 迅速负载 - 瞬态反映 PGOOD-Logic输出引脚监控VTT法则 闭塞形式的EN-Logic输入引脚 VRI参考输入承诺直接或通过电阻分压器举行轻巧的输入跟踪 遥感(VTTS) ) 内置软启动,欠压锁定和过流限定 运用 终端产物 DDR内存终止 图形管束器重点耗材 芯片组/ RAM耗材低至0.5 V 有源总线终端 台式电脑,条记本电脑和处事站 效劳器和搜集设置 机顶盒,液晶电视/ PDP-电视,复印机/打印机 电道图、引脚图和封装图...

  NCP51401 3安培VTT端接稳压器DDR1 DDR2 DDR3 LPDDR3 DDR4

  01是一款源/招揽双倍数据速度(DDR)终端稳压器,专为低输入电压和低噪声体例而策画,此中空间是闭头思虑身分。 NCP51401连结迅速瞬态反映,仅需求20 F的最小输出电容.NCP51401援手长途感到效用和DDR VTT总线终端的完全电源请求。 NCP51401还可用于需求动态可调输出电压的低功耗芯片组和图形管束器内核。 特点 输入电压轨:援手2.5 V,3.3 V和5 V导轨 PVCC电压界限:1.1至3.5 V 集告捷率MOSFET 迅速负载瞬态反映 PGOOD - 监控VTT法则的逻辑输出引脚 VRI - 参考输入承诺直接或通过电阻分压器举行轻巧的输入跟踪 EN - 闭塞形式的逻辑输入引脚 内置 - 欠压锁定和过流限定 运用 终端产物 DDR内存终端 效劳器和搜集设置 图形管束器重点耗材 芯片组/ RAM耗材低至0.5 V 机顶盒,液晶电视/等离子电视,复印机/打印机 台式电脑,条记本电脑和处事站 电道图、引脚图和封装图...

  NCP51402 3安培VTT终端稳压器DDR1 DDR2 DDR3 LPDDR3 DDR4

  02是一款源/招揽双倍数据速度(DDR)终端稳压器,专为低输入电压和低噪声体例而策画,此中空间是闭头思虑身分。 NCP51402连结迅速瞬态反映,仅需求20μF的最小输出电容。 NCP51402援手长途感到效用和DDR VTT总线终端的完全电源请求。 NCP51402还可用于需求动态可调输出电压的低功耗芯片组和图形管束器内核。 特点 输入电压轨:援手2.5 V,3.3 V和5 V导轨 PVCC电压界限:1.1至3.5 V 集告捷率MOSFET 迅速负载瞬态反映 PGOOD - 监控VTT法则的逻辑输出引脚 VRI - 参考输入承诺直接或通过电阻分压器举行轻巧的输入跟踪 EN - 闭塞形式的逻辑输入引脚 内置 - 欠压锁定和过流限定 运用 终端产物 DDR内存终端 效劳器和搜集设置 图形管束器重点耗材 芯片组/ RAM耗材低至0.5 V 机顶盒,液晶电视/等离子电视,复印机/打印机 台式电脑,条记本电脑和处事站 电道图、引脚图和封装图...

  99是一款线性稳压器,旨正在为DDR-2和DDR-3存储器运用供应安定的VTT端接电压。稳压器可能为DDR-2和DDR-3主动供应和招揽+ -2A峰值电流高达+ -1.5A,同时将VTT输出电压调度到+ -10mV。输出端接电压通过相接到PVCC,GND和VREF引脚的两个外局部压电阻调度到跟踪VDDQ2。 特点 援手DDR2 VTT端接至2 A,DDR3至1.5 A(峰值 正在1.2 A(峰值)下援手低至600 mV的DDR VTT电压 集告捷率MOSFET VTT输出上的10uF陶瓷电容安定 FullLoad的高精度VTT输出 迅速瞬态反映 内置软启动 待机或挂起形式闭机 集成散热和CurrentLimit守卫 运用 DDR2 / DDR3的SDRAM端接电压 主板,条记本电脑和VGA卡内存终止 机顶盒,数字电视,打印机 电道图、引脚图和封装图...

  98是一款简便,经济高效的高速线性稳压器,专为DDR-I,DDR-II和DDR-III存储器天生VTT终端电压轨。稳压器可能为DDR-I主动供应或招揽高达-1.5 A,或者DDR-II高达-0.5 A,-III,同时将输出电压调度到-30 mV以内。 特点 天生DDR存储器终端电压(VTT) 关于DDRI,DDRII,DDRIII源/接管电流 援手DDRI至1.5 A,DDRII至0.5 A(峰值) 具有热守卫效用的集告捷率MOSFET 应用10UF陶瓷VTT电容器安定 FullLoad时的高精度输出电压 最小外部元件数 闭机待机或暂停至RAM(STR)形式 内置软启动 机顶盒,数字电视,打印机 运用 台式电脑,条记本电脑和处事电台 显卡DDR内存终端 嵌入式体例 有源总线终端 电道图、引脚图和封装图...

  45是一款线性稳压器,旨正在为DDR-II,DDR-III,LPDDR-III和DDR-IV存储器运用供应安定的VTT端接电压。稳压器可能主动供应和招揽±1.8 A峰值电流,同时将输出电压调度到±20 mV以内。输出端接电压通过相接到PVCC,GND和VREF引脚的两个外局部压电阻举行调度,以跟踪VDDQ / 2.NCP51145集成了一个高速差分放大器,可对线道和负载瞬态供应超迅速反映。其他效用囊括源/灌电流限定,软启动和片上热闭断守卫。 特点 关于DDR VTT运用,源/汇电流 援手DDR-II至±1.8 A,DDR-III至±1.5 A 援手LPDDR-III和DDR-IV至±1.2 A 应用仅陶瓷(极低ESR)电容器安定 集成电源MOSFETs 满载时的高精度VTT输出 迅速瞬态反映 内置软件-Start 闭机待机或挂起形式 集成热量和限流守卫 运用 终端产物 DDR-II / DR-III / DDR-IV SDRAM端接电压 低功耗DDR-3LP 主板,条记本电脑和VGA卡内存终止 机顶盒,数字电视,打印机 电道图、引脚图和封装图...

  90是一款简便,经济高效的高速线性稳压器,专为DDR-I,DDR-II和DDR-III存储器天生VTT终端电压轨。稳压器可能为DDR-I主动供应或招揽高达-1.5 A A,或者DDR-II高达-0.5 A,-III,同时将输出电压调度到+ -30 mV。 特点 天生DDR存储器终端电压(VTT) 关于DDRI,DDRII,DDRIII源/汇电流 援手DDRI至1.5 A,DDRII至0.5 A(峰值) 带热守卫的集告捷率MOSFET 应用10UF陶瓷VTT电容器安定 高精度输出FullLoad的电压 最小的外部元件数 闭机待机或暂停至RAM(STR)形式 内置软启动 运用 台式电脑,条记本电脑和处事站 嵌入式体例 显卡DDR内存终端 机顶盒,数字电视,打印机 有源总线终端 电道图、引脚图和封装图...

  V04TAMPX是一款极为高效的集成式同步降压调度器,适合DDR终止电轨等跟踪运用.V DDQ 输入囊括一个可能裁减总电道尺寸和元件数目的内部2 :1电阻分压器。该调度器正在7 V到18 V的输入电压界限内处事,并援手4 A的接续负载电流。假设V IN ,P VIN 和P VCC 相接正在沿途,绕开内部线性调度器,则该器件可能正在5V电轨(±10%)下处事。该器件采用飞兆恒定导通时辰支配布局,可供应杰出的瞬态反映,并连结相对恒定的开闭频率。开闭频率和招揽过流守卫效用可修设,为百般运用供应轻巧的处理计划。输出过压和热闭断守卫效用可能守卫器件正在滞碍岁月免受损害。热闭断效用被激活后,到达平常处事温度时,滞后效用会从新启动器件。 特点 V IN 界限:正在7 V到18 V时应用内部线性偏压稳压器 V IN 界限:4.5 V至5.5 V时,V IN / P VIN / P VCC 相接到旁道内部调度器 高效果 接续输出电流:4 A 内部线性偏压稳压器 内部V DDQ 电阻分压器 杰出的线道和负载瞬态反映 输出电压界限:0.5V至1.5V 可编程频率:200kHz到1.5MHz 可修设软...

  TPS59116 全套 DDR、DDR2 和 DDR3 存储器功率处理计划、用于嵌入式筹算的同步降压支配器

  音讯描写 The TPS59116 provides a complete power supply for DDR/SSTL-2, DDR2/SSTL-18, and DDR3 memory systems. It integrates a synchronous buck controller with a 3-A sink/source tracking linear regulator and buffered low noise reference. The TPS59116 offers the lowest total solution cost in systems where space is at a premium. The TPS59116 synchronous controller runs fixed 400-kHz pseudo-constant frequency PWM with an adaptive on-time control that can be configured in D-CAP™ Mode for ease of use and fastest transient response or in current mode to support ceramic output capacitors. The 3-A sink/source LDO maintains fast transient response only requiring 20-µF (2 × 10 µF) of ceramic output capacitance. In addition, the LDO supply input is available externally to significantly reduce the total power losses. The TPS59116 supports all of the sleep state controls placing VTT at high-Z in S3 (suspend to RAM) and dischargin...

  TPS54116-Q1 具有 4A/2MHz VDDQ DC/DC 转换器、1A VTT LDO 和 VTTREF 的汽车类 DDR 电源处理计划

  音讯描写 TPS54116-Q1 器件是一款效用全数的 6V、4A 同步降压转换器,其配有两个集成型 MOSFET 以及带 VTTREF 缓冲参考输出的 1A 拉/灌电流双倍数据速度 (DDR) VTT 终端稳压器。TPS54116-Q1 降压稳压器通过集成 MOSFET 和减小电感尺寸来最大范围减小处理计划尺寸,开闭频率最高达 2.5MHz。开闭频率可修树正在中波频段以上以餍足噪声敏锐型 运用 的需求,并且可能与外部时钟同步。同步整流使频率正在全部输出负载界限内连结为固定值。效果通过集成 25mΩ 低侧 MOSFET 和 33mΩ 高侧 MOSFET 取得了最大范围的擢升。逐周期峰值电流限定正在过流状况下守卫器件,而且可通过 ILIM 引脚上的电阻举行安排,从而针对小尺寸电感举行优化。VTT 终端稳压器仅欺骗 2 × 10µF 的陶瓷输出电容即可连结迅速瞬态反映,从而裁减外部组件数目。TPS54116-Q1 应用 VTT 举行长途感测,从而完毕最佳的稳压成绩。该器件可欺骗使能引脚进入闭断形式,从而使电源电流降至 1µA。欠压闭锁阈值可通过任一使能引脚上的电阻搜集举行修树。VTT 和 VTTREF 输出被 ENLDO 禁用时会举行放电。该器件具备全集成特点,而且采用小尺...

  TPS53317A 用于 DDR 存储器终端的 6A 输出 D-CAP+ 形式同步降压集成 FET 转换器

  音讯描写 TPS53317A 器件是一款策画为闭键用于 DDR 终端的集成场效应晶体管 (FET) 同步降压稳压器。 它可能供应一个值为 ½ VDDQ的经稳压输出,此输出具有招揽电流和源电流效用。TPS53317A 器件采用 D-CAP+ 运转形式,简便易用,所需外部组件数较少并可供应迅速瞬态反映。 该器件还可用于其他电流请求高达 6A 的负载点 (POL) 稳压运用。别的,该器件援手具有厉肃电压调度效用的 6A 完全灌电流输出。该器件具有两种开闭频率设定值(600kHz 和 1MHz),可供应集成压降援手、外部跟踪效用、预偏置启动、输出软放电、集成自举开闭、电源平常效用、V5IN 引脚欠压锁定 (UVLO) 守卫效用,援手采用陶瓷和 SP/POSCAP 电容。 该器件援手的输入电压最高可达 6V,而输出电压正在 0.45V 至 2.0V 界限内可调。TPS53317A 器件采用 3.5mm × 4mm 20 引脚超薄四方扁平无引线 (VQFN) 封装(绿色环保,适宜 RoHS 程序而且无铅),此中运用了 TI 专有的集成 MOSFET 和封装身手,其额定运转温度界限为 –40°C 至 85°C。特点 采用 TI 专有的集成金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 和封装身手援手 DDR 内存...

  TPS51716 完全 DDR2、DDR3 和 DDR3L 存储器功率处理计划同步降压

  音讯描写 TPS51716 用起码总体本钱和最小空间供应一个针对 DDR2,DDR3,DDR3L 和 LPDDR3 内存体例的完全电源。 它集成了同步降压稳压器支配器 (VDDQ),此支配用具有 2A 灌电流/拉电流跟踪 LDO (VTT) 和经缓冲的低噪声基准 (VTTREF)。 TPS51716 采用与 500kHz 或 670kHz 处事频率相耦合的 D-CAP2™ 形式,此形式正在无需外部积累电道的景况下可援手陶瓷输出电容器。 VTTREF 跟踪 VDDQ/2 的精度高达 0.8%。 可能供应 2A 灌电流/拉电流峰值电流效用的 VTT 只需 10μF 的陶瓷电容器。 别的,此器件特有一个专用的 LDO 电源输入。TPS51716 供应充分、适用的效用以及杰出的电源本能。 它援手轻巧功率级支配,将 VTT 置于 S3 中的高阻抗状况并正在 S4/S5 状况中将 VDDQ,VTT 和 VTTREF 放电(软闭塞)。 它囊括具有低侧 MOSFET RDS(接通)感测的可编程 OCL,OVP/UVP/UVLO 和热闭断守卫。TPS51716 从 TI 出厂时采用 20引脚,3mm x 3mm QFN 封装而且其额定处境温度界限介于 -40°C 至 85°C 之间。特点 同步降压支配器 (VDDQ)转换电压界限:3V 至 28V输出...

  TPS51216 DDR2/3/3L/4 存储器电源处理计划同步降压支配器,2A LDO,缓冲参考

  音讯描写 The TPS51216 provides a complete power supply for DDR2, DDR3 and DDR3L memory systems in the lowest total cost and minimum space. It integrates a synchronous buck regulator controller (VDDQ) with a 2-A sink/source tracking LDO (VTT) and buffered low noise reference (VTTREF). The TPS51216 employs D-CAP™ mode coupled with 300 kHz/400 kHz frequencies for ease-of-use and fast transient response. The VTTREF tracks VDDQ/2 within excellent 0.8% accuracy. The VTT, which provides 2-A sink/source peak current capabilities, requires only 10-μF of ceramic capacitance. In addition, adedicated LDO supply input is available.The TPS51216 provides rich useful functions as well as excellent power supply performance. It supports flexible power state control, placing VTT at high-Z in S3 and discharging VDDQ, VTT and VTTREF (soft-off) in S4/S5 state. Programmable OCL with low-side MOSFET RDS(...

  音讯描写The TPS51116 provides a complete power supply for DDR/SSTL-2, DDR2/SSTL-18,DDR3/SSTL-15, and LPDDR3 memory systems. It integrates a synchronous buckcontroller with a 3-A sink/source tracking linear regulator and buffered lownoise reference. The TPS51116 offers the lowest total solution cost in systemswhere space is at a premium. The TPS51116 synchronous controller runs fixed400-kHz, pseudo-constant frequency PWM with an adaptive on-time control that canbe configured in D-CAP Mode for ease of use and fastest transient response or incurrent mode to support ceramic output capacitors. The 3-A sink/source LDOmaintains fast transient response only requiring 20-μF (2 × 10 μF) of ceramicoutput capacitance. In addition, the LDO supply input is available externally tosignificantly reduce the total power losses. The TPS51116 supports all of thesleep state controls placing VTT at high-Z in S3 (suspend to RAM) an...

  TPS51206 具有合用于 DDR2/3/3L/4 的 VTTREF 缓冲参考输出的 2A 峰值灌/拉电流 DDR 终端稳压器

  音讯描写 TPS51206 是一款具有 VTTREF 缓冲参考输出的灌/拉电流双倍数据速度 (DDR) 终端稳压器。该器件特意针对低输入电压、低本钱、低外部元件数的空间受限类体例而策画。TPS51206 可连结迅速的瞬态反映,而且仅需 1 个 10µF 的陶瓷输出电容。TPS51206 援手长途感测效用,而且可餍足 DDR2、DDR3 和低功耗 DDR3 (DDR3L) 及 DDR4 VTT 总线的完全电源请求。VTT 具有 ±2A 峰值电流才智。该器件援手完全 DDR 电源状况,正在 S3 状况下将 VTT 置于高阻态(挂起到 RAM);正在 S4/S5 状况下使 VTT 和 VTTREF 放电(挂起到磁盘)。TPS51206 采用 10 引脚、2mm × 2mm SON (DSQ) PowerPAD封装,额定处事温度界限为 –40°C 至 85°C。特点 电源输入电压:援手 3.3V 和 5V 电源轨 VLDOIN 输入电压界限:VTT+0.4V 至 3.5V VTT 端接稳压器输出电压界限:0.5V 至 0.9V 2A 峰值灌电流和拉电流 仅需 10μF 的众层陶瓷电容 (MLCC) 输出电容 ±20mV 精度VTTREF 缓冲参考输出VDDQ/2 ± 1% 精度 10mA 灌/拉电流援手高阻态(S3 状况)和软甩手(S4 和 S5 状况),通过 ...